財聯(lián)社4月19日訊（編輯 史正丞）一個月前剛剛宣布量產(chǎn)新一代HBM3E高帶寬存儲芯片的英偉達供應(yīng)商SK海力士，現(xiàn)在又朝著下一代產(chǎn)品邁出嶄新征程。
當?shù)貢r間周五，SK海力士與臺積電發(fā)布公告，宣布兩家公司就整合HBM和邏輯層先進封裝技術(shù)簽訂諒解備忘錄。雙方將合作開發(fā)第六代HBM產(chǎn)品（HBM4），預(yù)計在2026年投產(chǎn)。
背景：什么是高帶寬內(nèi)存
眾所周知，高帶寬內(nèi)存（High Bandwidth Memory）是為了解決傳統(tǒng)DDR內(nèi)存的帶寬不足以應(yīng)對高性能計算需求而開發(fā)。通過堆疊內(nèi)存芯片和通過硅通孔（TSV）連接這些芯片，從而顯著提高內(nèi)存帶寬。
SK海力士在2013年首次宣布HBM技術(shù)開發(fā)成功，后來被稱為HBM1的芯片通過AMD的Radeon R9 Fury顯卡首次登陸市場。
后續(xù)，HBM家族又先后迎來HBM2、HBM2E、HBM3和HBM3E。
SK海力士介紹稱，HBM3E帶來了10%的散熱改進，同時數(shù)據(jù)處理能力也達到每秒1.18TB的水平。
（HBM3E芯片成品，來源：SK海力士）
技術(shù)的迭代也帶來了參數(shù)的翻倍。舉例而言，根據(jù)英偉達官方的規(guī)格參數(shù)表，H100產(chǎn)品主要搭載的是80GB的HBM3，而使用HBM3E的H200產(chǎn)品，內(nèi)存容量則達到幾乎翻倍的141GB。
找臺積電做些什么？
在此次合作前，所有的海力士HBM芯片都是基于公司自己的制程工藝，包括制造封裝內(nèi)底層的基礎(chǔ)裸片，然后將多層DRAM裸片堆疊在基礎(chǔ)裸片上。
兩家公司在公告中表示，從HBM4產(chǎn)品開始，準備用臺積電的先進邏輯工藝來制造基礎(chǔ)裸片。通過超細微工藝增加更多的功能，公司可以生產(chǎn)在性能、功效等方面更滿足客戶需求的定制化HBM產(chǎn)品。
另外，雙方還計劃合作優(yōu)化HBM產(chǎn)品和臺積電獨有的CoWoS技術(shù)融合（2.5D封裝）。
通過與臺積電的合作，SK海力士計劃于2026年開始大規(guī)模生產(chǎn)HBM4芯片。作為英偉達的主要供應(yīng)商，海力士正在向AI龍頭提供HBM3芯片，今年開始交付HBM3E芯片。
對于臺積電而言，AI服務(wù)器也是在消費電子疲軟、汽車需求下降的當下，維持公司業(yè)績的強勁驅(qū)動因素。
臺積電預(yù)計2024財年的總資本支出大約在280-320億美元之間，約有10%投資于先進封裝能力。
三巨頭激戰(zhàn)HBM市場
根據(jù)公開市場能夠找得到的信息，目前國際大廠里只有SK海力士、美光科技和三星電子有能力生產(chǎn)與H100這類AI計算系統(tǒng)搭配的HBM芯片。而眼下，這三家正隔著太平洋展開激烈的競爭。
大概比SK海力士早大半個月，美光科技也在今年宣布開始量產(chǎn)HBM3E芯片。
今年2月，正在加緊擴展HBM產(chǎn)能的三星也發(fā)布了業(yè)界容量大的36GB HBM3E 12H芯片。英偉達上個月表示正在對三星的芯片進行資格認證，以用于AI服務(wù)器產(chǎn)品。
研究機構(gòu)Trendforce估算，2024年的HBM市場里，SK海力士能夠占到52.5%的份額，三星和美光則占42.4%和5.1%。
另外，在動態(tài)隨機存取存儲器（DRAM）行業(yè)內(nèi)，HBM的收入份額在2023年超過8%，預(yù)計在2024年能達到20%。
對于SK海力士與臺積電合作一事，普華永道高科技行業(yè)研究中心主任Allen Cheng認為是“明智的舉措”。
他表示：“臺積電幾乎擁有所有開發(fā)尖端AI芯片的關(guān)鍵客戶，進一步加深伙伴關(guān)系，意味著海力士能吸引更多的客戶使用該公司的HBM產(chǎn)品。”
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