5月21日消息，據(jù)媒體報(bào)道，蘋(píng)果公司首席運(yùn)營(yíng)Jeff Williams拜訪臺(tái)積電，雙方舉辦了一場(chǎng)秘密會(huì)議，蘋(píng)果將包圓臺(tái)積電初期2nm工藝產(chǎn)能。
據(jù)悉，臺(tái)積電在2nm制程中首次使用GAAFET技術(shù)，區(qū)別于3nm和5nm制程所采用的鰭式場(chǎng)效晶體管（FinFET）架構(gòu)，GAAFET架構(gòu)是以環(huán)繞閘極（GAA）制程為基礎(chǔ)的架構(gòu)，可以解決FinFETch因?yàn)橹瞥涛⒖s而產(chǎn)生的電流控制漏電等物理極限問(wèn)題。
與FinFET晶體管技術(shù)相比，GAAFET晶體管技術(shù)結(jié)構(gòu)更復(fù)雜，閾值電壓更低，這樣性能更強(qiáng)，耗電量更低，功耗表現(xiàn)更佳。
據(jù)悉，臺(tái)積電正在花費(fèi)數(shù)十億美元進(jìn)行產(chǎn)線升級(jí)，而蘋(píng)果也需要改變芯片設(shè)計(jì)以適應(yīng)新技術(shù)。
眾所周知，蘋(píng)果是臺(tái)積電的主要客戶，它通常是第一個(gè)獲得臺(tái)積電新芯片制程的客戶，例如蘋(píng)果在2023年包下了臺(tái)積電用于iPhone、iPad和Mac的所有3nm芯片產(chǎn)能。
因此，臺(tái)積電2nm也將由蘋(píng)果首發(fā)使用，這項(xiàng)工藝制程快會(huì)在2025年量產(chǎn)。
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