5月25日消息，有網(wǎng)友給手機晶片達人留言：驍龍8 Gen4不會再現(xiàn)驍龍888那種情況吧？
對此，手機晶片達人回復(fù)：驍龍8 Gen4采用臺積電3nm工藝，不是三星。
眾所周知，驍龍888終端普遍存在過熱問題，當時所有矛頭都指向了三星5nm工藝制程。
由于當時蘋果吃掉了臺積電的大部分5nm產(chǎn)能，高通只能退而求其次選擇三星作為代工廠。
而作為首批使用三星5nm工藝的芯片，驍龍888的發(fā)熱被指與三星5nm工藝問題有關(guān)。
據(jù)數(shù)碼博主測評，在相同條件的游戲體驗后，麒麟9000和蘋果A14兩款臺積電5nm芯片的平均芯片功耗為2.9W和2.4W，而采用三星5nm技術(shù)的驍龍888為4.0W。
從晶體管密度上來說，臺積電的5nm工藝能達到1.73億顆晶體管，三星的工藝更為落后，5nm工藝僅達到1.27億顆晶體管。
因三星工藝問題，從驍龍8+ Gen1開始，高通轉(zhuǎn)投臺積電懷抱，驍龍8+ Gen1、驍龍8 Gen2、驍龍8 Gen3等旗艦平臺都選擇臺積電代工，其市場表現(xiàn)良好。
即將在今年10月份亮相的驍龍8 Gen4也會選擇臺積電代工，而且首次使用臺積電3nm工藝制程。
據(jù)爆料，高通驍龍8 Gen4使用的是臺積電新一代3nm制程N3E，N3E修復(fù)了N3B上的各種缺陷，設(shè)計指標也有所放寬，對比N5同等功耗，性能提升15-20％、同等性能功耗降低30-35％，邏輯密度約1.6倍、芯片密度約1.3倍，表現(xiàn)值得期待。
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