5月24日消息，據(jù)媒體報(bào)道，在芯片制造領(lǐng)域，3nm方興未艾，圍繞著2nm的競(jìng)爭(zhēng)已經(jīng)全面打響。
三星正在研發(fā)2nm芯片Exynos 2600，代號(hào)Thetis，預(yù)計(jì)將在2025年下半年開(kāi)始量產(chǎn)，由Galaxy S26系列首發(fā)搭載。
報(bào)道指出，Galaxy S25系列將搭載3nm芯片Exynos 2500，對(duì)手驍龍8 Gen4也是采用3nm工藝，雙方步調(diào)將保持一致。
但是在2025年下半年，三星將率先切入2nm工藝制程，Galaxy S26系列有望成為安卓陣營(yíng)第一款2nm旗艦。
據(jù)悉，三星2nm采用新一代MBCFET架構(gòu)，與基于FinFET的工藝技術(shù)相比，前者晶體管性能提升了11%，同時(shí)漏電降低約50%。
另一方面，MBCFET彼此堆疊在一起，鰭片側(cè)向放置，納米片的寬度可以調(diào)整，以提供比FinFET更多的溝道寬度選項(xiàng)，這是一個(gè)對(duì)整個(gè)設(shè)計(jì)有用的功能，這在模擬SRAM中具有顯著的優(yōu)勢(shì)。
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